Podeli ovo! 
Kompanija Samsung Electronics, kao globalni lider u proizvodnji naprednih tehnologija poluprovodnika, je najavila da je proizvela prve DDR4 DRAM module zasnovane na 30 nm proizvodnom procesu.
„Samsung se već duže vreme trudi u proizvodnji „green memorija“ u skladu sa globalnim trendom očuvanja životne sredine. Velika efikasnost, a mala potrošnja je prioritet za nas“ rekao je Dong Soo Jun – predsednik ogranka zaduženog za proizvodnju i razvijanje memorije kompanije Samsung Electronics.
Gospodin Dong Soo Jun je zatim dodao: „Novi DDR4 DRAM će biti još efikasniji i brži, a samim tim i bolji od DDR3 standarda“. Sa DDR4 DRAM modulima će moći da se dostigne transfer od 2,133 gigabita po sekundi (Gbps) pri naponu od samo 1.2V. Poređenja radi, DDR3 radi na 1.35V odnosno 1.5V pri istom proizvodnom procesu od 30 nm, sa brzinom od „samo“ 1,6 Gbps. Ove benefite će najviše osetiti korisnici notebook računara, jer će ušteda električne energije u startu biti 40%.
DDR4 memorije će koristiti Pseudo Open Drain (POD) tehnologiju koja je do sada adaptirana na GDDR čipovima, dok će u slučaju DDR4 DRAM memorije to značiti duplo manju potrošnju električne energije u odnosno na DDR3, za vreme upisa, odnosno, čitanja podataka. DDR4 standard će moći da dostigne transfere od 1,6 do 3,2Gbps. Poređenja radi DDR2 memorija ima protok od 800Mbps. Poslednjih mesec dana Samsung je testirao DDR4 memoriju koja radi na naponu od 1.2V, a u pitanju je dual in-line memorja (UDIMM). Naravno, kao i do sada, novi memorijski standard će ugledati svetlost dana tek na serverskim rešenjima, u drugoj polovini ove godine. Naravno, još uvek se radi na JEDEC standardizaciji, tj definisanju DDR4 standarda. Podsećanja radi, Samsung je prvi proizveo DDR DRAM sad već davne 1997. godine, dok je 2001. predstavio DDR2. 2005. godine ovaj gigant je predstavio prve DDR3 čipove proizvedene u 80nm litografiji.
Za više informacija posetite: www.samsung.com/GreenMemory.
Izvor: Techpowerup
Komentarišite na forumu…
Dodaj komentar