Podeli ovo! 
Tim Samsung-a je napokon počeo sa proizvodnjom osmo-gigabitnih DDR4 RAM čipova koji koriste deseto-nanometarsku tehnologiju druge generacije.
„Razvojem inovatnih tehnologija u DRAM circuit dizajnu, kao i procesu, srušili smo ono što je predstavljalo veliku barijeru za DRAM skalabilnost.“ – naveo je Gyoyoung Jin, predsednik Memory Business-a u Samsung Electronics.
Čipovi su do petnaest procenata energetski efikasniji i funkcionišu deset puta brže nego prethodna generacija, a produktivnost čipova je takođe veća za trideset procenata.
Takođe, novi 8GB DDR4 funkcioniše na 3.600 megabita u sekundi po pinu.
Kako bi se ove brzine dostigle, Samsung je odlučio da implementira high-sensitivity cell data sensing sistem, kao i „air spacer“ šemu.
U ćelijama druge generacije Samsung-ovog DRAM-a klase 10nm, novi data sensing sistem će omogućiti bolje utvrđivanje podataka koji su uskladišteni u svakoj ćeliji.
Takozvani air spacer će takođe drastično umanjiti „parazitsku kapacitivnost“ iliti neželjenu kapacitivnost koja postoji između električnih delova.
Kada su električna provodnika drugačijih voltaža previše blizu jedno drugome, utiču na međusobna električna polja i skladište suprotno naelektrisanje.
Ali ovde nije kraj, kako čelnici Samsung-a navode da su u toku planovi za predstavljanje još bržih generacija DRAM čipova i sistema, poput DDR5, HBM3, LPDDR5, kao i GDDR6, za korišćenje na enterprise serverima, mobilnim uređajima, superkompjuterima, HPC sistemima, kao i brzim grafičkim kartama.
Izvor: Samsung
Komentarišite na forumu…
Dodaj komentar