Podeli ovo! 
Analiza naponske sekcije
Ono što prvo vidite jeste da su korišćeni Samsung memorijski čipovi koji su trenutno top ponude među GDDR5 čipovima. Gigabyte se odlučio za standardni dizajn naponske sekcije gde koristi odvojen driver, high i low side mosfet umesto power blocka ili powerpacka koji ima sve integrisano u sebi. Powerblokove viđamo u većini high-end ploča i grafičkih kartica te se nadamo da će Aorus u bliskoj budućnosti preći na ovu efikasniju i bolju varijantu. Ali da ne gnjavimo previše, imamo 6 faza za grafički čip, 2 faze za GDDR5 memoriju i jednu pomoćnu fazu. Pošto pomoćne i memorijske faze nisu preterano bitne fokusiraćemo se na faze samog jezgra. PWM kontroler je International rectifier IR 3567B koji radi u konfiguraciji faza 6+2.
Svaka faza ima 2 lowside i 1 highside mosfet. High side mosfet je manje bitan, a korišćen je Alpha and Omega semicondutor G6414 deklarisan na maksimalno 30A, što je daleko od fantastičnog, ali nije ni katastrofalno. Sa druge strane veoma je efikasan, tako da nećemo zameriti nešto nižu snagu. Lowside mosfet je od iste kompanije – 6508, i deklarisan je na 32A. Da je samo jedan, rekli bismo vam da je ovo veoma neadekvatno, ali s obzirom da ih ima dva po fazi, daleko su jači od high side mosfeta, te neće biti usko grlo pri OC-u. Usled 6x 30A kontinualne struje na high side-u, limitirani ste na ono 180A kroz high side mosfete što je daleko od idealnog za jurenje maksimalnog OC-a, ali za normalan rad karte i umeren OC, sasvim dovoljan. Ponavljamo, voleli bismo da vidimo nešto jaču naponsku sekciju u ovim high-end Aorus kartama.
Dodaj komentar